Descrição
Wafer de silício epitaxialou EPI Silicon Wafer, é um wafer de camada de cristal semicondutor depositado sobre a superfície de cristal polido de um substrato de silício por crescimento epitaxial.A camada epitaxial pode ser o mesmo material que o substrato por crescimento epitaxial homogêneo, ou uma camada exótica com qualidade específica desejável por crescimento epitaxial heterogêneo, que adota a tecnologia de crescimento epitaxial inclui deposição de vapor químico CVD, fase líquida epitaxy LPE, bem como feixe molecular epitaxy MBE para alcançar a mais alta qualidade de baixa densidade de defeitos e boa rugosidade da superfície.As bolachas epitaxiais de silício são usadas principalmente na produção de dispositivos semicondutores avançados, elementos semicondutores altamente integrados ICs, dispositivos discretos e de potência, também utilizados para elemento de diodo e transistor ou substrato para IC, como dispositivos bipolares, MOS e BiCMOS.Além disso, wafers de silício EPI de filme epitaxial de múltiplas camadas e de filme espesso são frequentemente usados em aplicações de microeletrônica, fotônica e fotovoltaica.
Entrega
Epitaxial Silicon Wafers ou EPI Silicon Wafer na Western Minmetals (SC) Corporation podem ser oferecidos em tamanhos de 4, 5 e 6 polegadas (100mm, 125mm, 150mm de diâmetro), com orientação <100>, <111>, resistividade da epicamada de <1ohm -cm ou até 150ohm-cm, e espessura da epicamada de <1um ou até 150um, para satisfazer os vários requisitos de acabamento superficial de tratamento gravado ou LTO, embalado em cassete com caixa de papelão externa ou como especificação personalizada para a solução perfeita .
Especificação técnica
Wafers de silício epitaxialou EPI Silicon Wafer na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecido em tamanho de 4, 5 e 6 polegadas (100mm, 125mm, 150mm de diâmetro), com orientação <100>, <111>, resistividade de epicamada de <1ohm-cm ou até 150ohm-cm, e espessura de epicamada de <1um ou até 150um, para satisfazer os vários requisitos de acabamento superficial de tratamento gravado ou LTO, embalado em cassete com caixa de papelão externa ou conforme especificação personalizada para a solução perfeita.
Símbolo | Si |
Número atômico | 14 |
Peso atômico | 28.09 |
Categoria do elemento | Metalóide |
Grupo, Período, Bloco | 14, 3, P |
Estrutura de cristal | Diamante |
Cor | Cinza escuro |
Ponto de fusão | 1414°C, 1687,15K |
Ponto de ebulição | 3265°C, 3538,15K |
Densidade em 300K | 2,329 g/cm3 |
Resistividade intrínseca | 3,2E5 Ω-cm |
Número CAS | 7440-21-3 |
Número CE | 231-130-8 |
Não. | Itens | Especificação padrão | ||
1 | Características gerais | |||
1-1 | Tamanho | 4" | 5" | 6" |
1-2 | Diâmetro mm | 100±0,5 | 125±0,5 | 150±0,5 |
1-3 | Orientação | <100>, <111> | <100>, <111> | <100>, <111> |
2 | Características da camada epitaxial | |||
2-1 | Método de crescimento | CVD | CVD | CVD |
2-2 | Tipo de condutividade | P ou P+, N/ ou N+ | P ou P+, N/ ou N+ | P ou P+, N/ ou N+ |
2-3 | Espessura μm | 2,5-120 | 2,5-120 | 2,5-120 |
2-4 | Uniformidade de espessura | ≤3% | ≤3% | ≤3% |
2-5 | Resistividade Ω-cm | 0,1-50 | 0,1-50 | 0,1-50 |
2-6 | Uniformidade de resistividade | ≤3% | ≤5% | - |
2-7 | Deslocamento cm-2 | <10 | <10 | <10 |
2-8 | Qualidade da superfície | Nenhum chip, neblina ou casca de laranja permanece, etc. | ||
3 | Manipular Características do Substrato | |||
3-1 | Método de crescimento | CZ | CZ | CZ |
3-2 | Tipo de condutividade | P/N | P/N | P/N |
3-3 | Espessura μm | 525-675 | 525-675 | 525-675 |
3-4 | Espessura Uniformidade máx. | 3% | 3% | 3% |
3-5 | Resistividade Ω-cm | Como requerido | Como requerido | Como requerido |
3-6 | Uniformidade de resistividade | 5% | 5% | 5% |
3-7 | TTV μm máx. | 10 | 10 | 10 |
3-8 | Arco μm máx. | 30 | 30 | 30 |
3-9 | Deformação μm máx. | 30 | 30 | 30 |
3-10 | EPD cm-2 máx. | 100 | 100 | 100 |
3-11 | Perfil de borda | Arredondado | Arredondado | Arredondado |
3-12 | Qualidade da superfície | Nenhum chip, neblina ou casca de laranja permanece, etc. | ||
3-13 | Acabamento Lado Traseiro | Gravado ou LTO (5000±500Å) | ||
4 | Embalagem | Cassete dentro, caixa de papelão fora. |
Wafers Epitaxiais de Silíciosão usados principalmente na produção de dispositivos semicondutores avançados, elementos semicondutores altamente integrados ICs, dispositivos discretos e de potência, também utilizados para elemento de diodo e transistor ou substrato para IC, como dispositivos bipolares, MOS e BiCMOS.Além disso, wafers de silício EPI de filme epitaxial de múltiplas camadas e de filme espesso são frequentemente usados em aplicações de microeletrônica, fotônica e fotovoltaica.
Dicas de Aquisição
Wafer de silício epitaxial