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Epitaxial (EPI) Wafer de Silício

Descrição

Wafer de silício epitaxialou EPI Silicon Wafer, é um wafer de camada de cristal semicondutor depositado sobre a superfície de cristal polido de um substrato de silício por crescimento epitaxial.A camada epitaxial pode ser o mesmo material que o substrato por crescimento epitaxial homogêneo, ou uma camada exótica com qualidade específica desejável por crescimento epitaxial heterogêneo, que adota a tecnologia de crescimento epitaxial inclui deposição de vapor químico CVD, fase líquida epitaxy LPE, bem como feixe molecular epitaxy MBE para alcançar a mais alta qualidade de baixa densidade de defeitos e boa rugosidade da superfície.As bolachas epitaxiais de silício são usadas principalmente na produção de dispositivos semicondutores avançados, elementos semicondutores altamente integrados ICs, dispositivos discretos e de potência, também utilizados para elemento de diodo e transistor ou substrato para IC, como dispositivos bipolares, MOS e BiCMOS.Além disso, wafers de silício EPI de filme epitaxial de múltiplas camadas e de filme espesso são frequentemente usados ​​em aplicações de microeletrônica, fotônica e fotovoltaica.

Entrega

Epitaxial Silicon Wafers ou EPI Silicon Wafer na Western Minmetals (SC) Corporation podem ser oferecidos em tamanhos de 4, 5 e 6 polegadas (100mm, 125mm, 150mm de diâmetro), com orientação <100>, <111>, resistividade da epicamada de <1ohm -cm ou até 150ohm-cm, e espessura da epicamada de <1um ou até 150um, para satisfazer os vários requisitos de acabamento superficial de tratamento gravado ou LTO, embalado em cassete com caixa de papelão externa ou como especificação personalizada para a solução perfeita . 


Detalhes

Tag

Especificação técnica

Epi Silicone Wafer

SIE-W

Wafers de silício epitaxialou EPI Silicon Wafer na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecido em tamanho de 4, 5 e 6 polegadas (100mm, 125mm, 150mm de diâmetro), com orientação <100>, <111>, resistividade de epicamada de <1ohm-cm ou até 150ohm-cm, e espessura de epicamada de <1um ou até 150um, para satisfazer os vários requisitos de acabamento superficial de tratamento gravado ou LTO, embalado em cassete com caixa de papelão externa ou conforme especificação personalizada para a solução perfeita.

Símbolo Si
Número atômico 14
Peso atômico 28.09
Categoria do elemento Metalóide
Grupo, Período, Bloco 14, 3, P
Estrutura de cristal Diamante
Cor Cinza escuro
Ponto de fusão 1414°C, 1687,15K
Ponto de ebulição 3265°C, 3538,15K
Densidade em 300K 2,329 g/cm3
Resistividade intrínseca 3,2E5 Ω-cm
Número CAS 7440-21-3
Número CE 231-130-8
Não. Itens Especificação padrão
1 Características gerais
1-1 Tamanho 4" 5" 6"
1-2 Diâmetro mm 100±0,5 125±0,5 150±0,5
1-3 Orientação <100>, <111> <100>, <111> <100>, <111>
2 Características da camada epitaxial
2-1 Método de crescimento CVD CVD CVD
2-2 Tipo de condutividade P ou P+, N/ ou N+ P ou P+, N/ ou N+ P ou P+, N/ ou N+
2-3 Espessura μm 2,5-120 2,5-120 2,5-120
2-4 Uniformidade de espessura ≤3% ≤3% ≤3%
2-5 Resistividade Ω-cm 0,1-50 0,1-50 0,1-50
2-6 Uniformidade de resistividade ≤3% ≤5% -
2-7 Deslocamento cm-2 <10 <10 <10
2-8 Qualidade da superfície Nenhum chip, neblina ou casca de laranja permanece, etc.
3 Manipular Características do Substrato
3-1 Método de crescimento CZ CZ CZ
3-2 Tipo de condutividade P/N P/N P/N
3-3 Espessura μm 525-675 525-675 525-675
3-4 Espessura Uniformidade máx. 3% 3% 3%
3-5 Resistividade Ω-cm Como requerido Como requerido Como requerido
3-6 Uniformidade de resistividade 5% 5% 5%
3-7 TTV μm máx. 10 10 10
3-8 Arco μm máx. 30 30 30
3-9 Deformação μm máx. 30 30 30
3-10 EPD cm-2 máx. 100 100 100
3-11 Perfil de borda Arredondado Arredondado Arredondado
3-12 Qualidade da superfície Nenhum chip, neblina ou casca de laranja permanece, etc.
3-13 Acabamento Lado Traseiro Gravado ou LTO (5000±500Å)
4 Embalagem Cassete dentro, caixa de papelão fora.

Wafers Epitaxiais de Silíciosão usados ​​principalmente na produção de dispositivos semicondutores avançados, elementos semicondutores altamente integrados ICs, dispositivos discretos e de potência, também utilizados para elemento de diodo e transistor ou substrato para IC, como dispositivos bipolares, MOS e BiCMOS.Além disso, wafers de silício EPI de filme epitaxial de múltiplas camadas e de filme espesso são frequentemente usados ​​em aplicações de microeletrônica, fotônica e fotovoltaica.

GaSb-W

SIE-W1

sm6

SIE-W3

s8

PK-26 (2)

Dicas de Aquisição

  • Amostra disponível mediante solicitação
  • Entrega segura de mercadorias por correio/aéreo/marítimo
  • Gestão da Qualidade COA/COC
  • Embalagem segura e conveniente
  • Embalagem padrão da ONU disponível mediante solicitação
  • Certificado ISO9001:2015
  • Termos CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Termos de Pagamento Flexíveis T/TD/PL/C Aceitáveis
  • Serviços pós-venda dimensionais completos
  • Inspeção de qualidade por instalações de última geração
  • Aprovação de Regulamentos Rohs/REACH
  • Acordos de Confidencialidade NDA
  • Política Mineral Sem Conflito
  • Revisão Regular da Gestão Ambiental
  • Cumprimento da Responsabilidade Social

Wafer de silício epitaxial


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