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Bolacha de Silício FZ

Descrição

Bolacha de silício de cristal único FZ,O silício de zona flutuante (FZ) é um silício extremamente puro com uma concentração muito baixa de impurezas de oxigênio e carbono puxadas pela tecnologia de refino de zona flutuante vertical.A zona flutuante FZ é um método de cultivo de lingote de cristal único que é diferente do método CZ em que o cristal de semente é anexado sob o lingote de silício policristalino e a borda entre o cristal de semente e o silício de cristal policristalino é derretido por aquecimento por indução de bobina de RF para cristalização única.A bobina de RF e a zona derretida movem-se para cima, e um único cristal se solidifica no topo do cristal de semente de acordo.O silício de zona flutuante é garantido com uma distribuição uniforme de dopantes, menor variação de resistividade, quantidades restritas de impurezas, vida útil considerável do transportador, alvo de alta resistividade e silício de alta pureza.O silício de zona flutuante é uma alternativa de alta pureza aos cristais cultivados pelo processo Czochralski CZ.Com as características deste método, o FZ Single Crystal Silicon é ideal para uso na fabricação de dispositivos eletrônicos, como diodos, tiristores, IGBTs, MEMS, diodo, dispositivo RF e MOSFETs de potência, ou como substrato para partículas de alta resolução ou detectores ópticos , dispositivos de energia e sensores, célula solar de alta eficiência etc.

Entrega

A condutividade FZ Single Crystal Silicon Wafer tipo N e tipo P na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser fornecida em tamanhos de 2, 3, 4, 6 e 8 polegadas (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm e 200 mm) e orientação <100>, <110>, <111> com acabamento superficial de As-cut, lapidado, gravado e polido em embalagem de caixa de espuma ou cassete com caixa de papelão externa.


Detalhes

Tag

Especificação técnica

Bolacha de Silício FZ

FZ Silicon wafer

Bolacha de silício de cristal único FZou FZ Mono-Crystal Silicon Wafer de condutividade intrínseca, tipo n e tipo p na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser entregue em vários tamanhos de 2, 3, 4, 6 e 8 polegadas de diâmetro (50mm, 75mm, 100mm , 125mm, 150mm e 200mm) e ampla faixa de espessura de 279um a 2000um na orientação <100>, <110>, <111> com acabamento superficial como cortado, lapidado, gravado e polido em embalagem de caixa de espuma ou cassete com caixa de papelão fora.

Não. Itens Especificação padrão
1 Tamanho 2" 3" 4" 5" 6"
2 Diâmetro mm 50,8±0,3 76,2±0,3 100±0,5 125±0,5 150±0,5
3 Condutividade N/P N/P N/P N/P N/P
4 Orientação <100>, <110>, <111>
5 Espessura μm 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ou conforme necessário
6 Resistividade Ω-cm 1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 ou conforme necessário
7 RRV máx. 8%, 10%, 12%
8 TTV μm máx. 10 10 10 10 10
9 Arco/urdidura μm máx. 30 30 30 30 30
10 Acabamento de superfície Como cortado, L/L, P/E, P/P
11 Embalagem Caixa de espuma ou cassete dentro, caixa de papelão fora.
Símbolo Si
Número atômico 14
Peso atômico 28.09
Categoria do elemento Metalóide
Grupo, Período, Bloco 14, 3, P
Estrutura de cristal Diamante
Cor Cinza escuro
Ponto de fusão 1414°C, 1687,15K
Ponto de ebulição 3265°C, 3538,15K
Densidade em 300K 2,329 g/cm3
Resistividade intrínseca 3,2E5 Ω-cm
Número CAS 7440-21-3
Número CE 231-130-8

Silício de cristal único FZ, com as características primordiais do método Float-zone (FZ), é ideal para uso na fabricação de dispositivos eletrônicos, como diodos, tiristores, IGBTs, MEMS, diodo, dispositivo RF e MOSFETs de potência, ou como substrato para alta resolução detectores de partículas ou ópticos, dispositivos e sensores de energia, célula solar de alta eficiência etc.

Epitaxial Silicon Wafer-W (3)

s8

FZ-W3

PK-26 (2)

NTD-W3

Dicas de Aquisição

  • Amostra disponível mediante solicitação
  • Entrega segura de mercadorias por correio/aéreo/marítimo
  • Gestão da Qualidade COA/COC
  • Embalagem segura e conveniente
  • Embalagem padrão da ONU disponível mediante solicitação
  • Certificado ISO9001:2015
  • Termos CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Termos de Pagamento Flexíveis T/TD/PL/C Aceitáveis
  • Serviços pós-venda dimensionais completos
  • Inspeção de qualidade por instalações de última geração
  • Aprovação de Regulamentos Rohs/REACH
  • Acordos de Confidencialidade NDA
  • Política Mineral Sem Conflito
  • Revisão Regular da Gestão Ambiental
  • Cumprimento da Responsabilidade Social

Bolacha de Silício FZ


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