Antimonido de índio InSb

Descrição

Indium Antimonide InSb, um semicondutor dos compostos cristalinos do grupo III-V com estrutura de rede de zinco-blenda, é sintetizado por elementos de índio e antimônio de alta pureza 6N 7N, e cristal único cultivado pelo método VGF ou método LEC de Czochralski encapsulado líquido a partir de lingote policristalino refinado de zona múltipla, que pode ser fatiado e fabricado em wafer e bloco depois.O InSb é um semicondutor de transição direta com um gap de banda estreito de 0,17eV à temperatura ambiente, alta sensibilidade para comprimento de onda de 1–5μm e mobilidade hall ultra alta.Indium Antimonide InSb tipo n, tipo p e condutividade semi-isolante na Western Minmetals (SC) Corporation podem ser oferecidos em tamanho de 1″ 2″ 3″ e 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) de diâmetro, orientação < 111> ou <100>, e com acabamento de superfície wafer como cortado, lapidado, gravado e polido.Indium Antimonide InSb alvo de Dia.50-80mm com tipo n não dopado também está disponível.Enquanto isso, antimonito de índio policristalino InSb ( multicristal InSb) com tamanho de caroço irregular, ou branco (15-40) x (40-80)mm, e barra redonda de D30-80mm também são personalizados mediante solicitação para a solução perfeita.

Inscrição

Indium Antimonide InSb é um substrato ideal para a produção de muitos componentes e dispositivos de última geração, como solução avançada de imagem térmica, sistema FLIR, elemento hall e elemento de efeito de magnetoresistência, sistema de orientação de mísseis infravermelhos, sensor fotodetector infravermelho altamente responsivo , sensor de resistividade magnética e rotativa de alta precisão, matrizes planares focais e também adaptado como fonte de radiação terahertz e em telescópio espacial astronômico infravermelho etc.

Consulta agora

Detalhes

Tag

Especificação técnica

Antimonido de índio

InSb

Substrato de Antimônio de Índio(Substrato InSb, Wafer InSb) O tipo n ou tipo p na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecido em tamanhos de 1" 2" 3" e 4" (30, 50, 75 e 100mm) de diâmetro, orientação <111> ou <100> e com superfície wafer de acabamentos lapidados, gravados e polidos Barra monocristal de antimônio de índio (barra monocristal InSb) também pode ser fornecida mediante solicitação.

Antimonido de índioPolycrystalline (InSb Policristalino, ou multicristal InSb) com tamanho de caroço irregular, ou em branco (15-40)x(40-80)mm também são personalizados mediante solicitação para a solução perfeita.

Enquanto isso, Indium Antimonide Target (InSb Target) de Dia.50-80mm com tipo n não dopado também está disponível.

Não.	Itens	Especificação padrão
1	Substrato de Antimônio de Índio	2"	3"	4"
2	Diâmetro mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Método de crescimento	LEC	LEC	LEC
4	Condutividade	Tipo-P/Zn,Ge dopado, N-tipo/Te-dopado, Não dopado
5	Orientação	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Espessura μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientação Plana mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identificação plana mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilidade cm2/Vs	1-7E5 N/não dopado， 3E5-2E4 N/Te dopado, 8-0,6E3 ou ≤8E13 P/Ge dopado
10	Concentração de transportador cm-3	6E13-3E14 N/não dopado, 3E14-2E18 N/Te dopado, 1E14-9E17 ou <1E14 P/Ge dopado
11	TTV μm máx.	15	15	15
12	Arco μm máx.	15	15	15
13	Deformação μm máx.	20	20	20
14	Densidade de luxação cm-2 max	50	50	50
15	Acabamento de superfície	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Embalagem	Recipiente de wafer único selado em saco de alumínio.

Não.	Itens	Especificação padrão
Não.	Itens	Iíndio Antimonido Policristalino	Alvo de Antimônio de Índio
1	Condutividade	Não dopado	Não dopado
2	Concentração do transportador cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilidade cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Tamanho	15-40x40-80 milímetros	D(50-80)mm
5	Embalagem	Em saco de alumínio composto, caixa de papelão externa

Fórmula linear	InSb
Peso molecular	236,58
Estrutura de cristal	Blenda de zinco
Aparência	Cristais metálicos cinza escuro
Ponto de fusão	527°C
Ponto de ebulição	N / D
Densidade em 300K	5,78 g/cm³
Diferença de energia	0,17 eV
Resistividade intrínseca	4E(-3) Ω-cm
Número CAS	1312-41-0
Número CE	215-192-3

Antimonido de índio InSbwafer é um substrato ideal para a produção de muitos componentes e dispositivos de última geração, como solução avançada de imagem térmica, sistema FLIR, elemento hall e elemento de efeito de magnetoresistência, sistema de orientação de mísseis infravermelhos, sensor fotodetector infravermelho altamente responsivo, alta -sensor de resistividade magnética e rotativa de precisão, matrizes planares focais e também adaptado como fonte de radiação terahertz e em telescópio espacial astronômico infravermelho etc.