Nitreto de Gálio GaN

Descrição

Nitreto de Gálio GaN, CAS 25617-97-4, massa molecular 83,73, estrutura de cristal de wurtzita, é um semicondutor de banda proibida direta composto binário do grupo III-V cultivado por um método de processo ammonotérmico altamente desenvolvido.Caracterizado por uma qualidade cristalina perfeita, alta condutividade térmica, alta mobilidade eletrônica, alto campo elétrico crítico e amplo bandgap, o nitreto de gálio GaN possui características desejáveis em aplicações optoeletrônicas e de detecção.

Formulários

GaN de nitreto de gálio é adequado para a produção de componentes de LEDs de diodos emissores de luz brilhantes de alta velocidade e alta capacidade, dispositivos a laser e optoeletrônicos, como lasers verdes e azuis, transistores de alta mobilidade de elétrons (HEMTs) e em produtos de alta potência e indústria de fabricação de dispositivos de alta temperatura.

Entrega

GaN de nitreto de gálio na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser fornecido em tamanho de wafer circular de 2 polegadas ”ou 4” (50 mm, 100 mm) e wafer quadrado 10 × 10 ou 10 × 5 mm.Qualquer tamanho e especificação personalizados são a solução perfeita para nossos clientes em todo o mundo.

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Especificação técnica

Nitreto de Gálio GaN

Nitreto de Gálio GaNna Western Minmetals (SC) Corporation pode ser fornecido em tamanho de wafer circular de 2 polegadas ”ou 4” (50mm, 100mm) e wafer quadrado 10×10 ou 10×5 mm.Qualquer tamanho e especificação personalizados são a solução perfeita para nossos clientes em todo o mundo.

Não.	Itens	Especificação padrão
1	Forma	Circular	Circular	Quadrado
2	Tamanho	2"	4"	--
3	Diâmetro mm	50,8±0,5	100±0,5	--
4	Comprimento lateral mm	--	--	10x10 ou 10x5
5	Método de crescimento	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientação	Plano C (0001)	Plano C (0001)	Plano C (0001)
7	Tipo de condutividade	Tipo N/Si-dopado, Não-dopado, Semi-isolante
8	Resistividade Ω-cm	<0,1, <0,05, >1E6
9	Espessura μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm máx.	15	15	15
11	Arco μm máx.	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Acabamento de superfície	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Rigidez da superfície	Frente: ≤0,2nm, Traseira: 0,5-1,5μm ou ≤0,2nm
15	Embalagem	Recipiente de wafer único selado em saco de alumínio.

Fórmula linear	GaN
Peso molecular	83,73
Estrutura de cristal	Mistura de zinco/Wurtzita
Aparência	Sólido translúcido
Ponto de fusão	2500°C
Ponto de ebulição	N / D
Densidade em 300K	6,15 g/cm³
Diferença de energia	(3,2-3,29) eV a 300K
Resistividade intrínseca	>1E8 Ω-cm
Número CAS	25617-97-4
Número CE	247-129-0

Nitreto de Gálio GaNé adequado para a produção de componentes de LEDs de diodos emissores de luz brilhantes de alta capacidade e alta velocidade, dispositivos a laser e optoeletrônicos, como lasers verdes e azuis, transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) e produtos de alta potência e alta indústria de fabricação de dispositivos de temperatura.