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Bolacha de Silício FZ NTD

Descrição

Bolacha de Silício FZ-NTD, conhecido como Float-Zone Neutron Transmutation Neutron Wafer.Silício livre de oxigênio, de alta pureza e alta resistividade pode ser obtido by Crescimento de cristal de zona flutuante FZ (Zona flutuante), HO cristal de silício FZ de alta resistividade é frequentemente dopado pelo processo de dopagem de transmutação de nêutrons (NTD), no qual a irradiação de nêutrons em silício de zona flutuante não dopado para fazer isótopos de silício presos com nêutrons e depois decair nos dopantes desejados para atingir o objetivo de dopagem.Através do ajuste do nível de radiação de nêutrons, a resistividade pode ser alterada sem a introdução de contaminantes externos e, portanto, garantindo a pureza do material.As pastilhas de silício FZ NTD (Silício de Dopagem de Transmutação de Nêutrons de Zona Flutuante) têm propriedades técnicas premium de concentração de dopagem uniforme e distribuição uniforme de resistividade radial, níveis mais baixos de impureza,e alto tempo de vida do portador minoritário.

Entrega

Como fornecedor líder de mercado de silício NTD para aplicações de energia promissoras e seguindo as crescentes demandas por wafers de alto nível de qualidade, o wafer de silício NTD FZ superiorna Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecido aos nossos clientes em todo o mundo em vários tamanhos que variam de 2″, 3″, 4″, 5″ e 6″ de diâmetro (50mm, 75mm, 100mm, 125mm e 150mm) e ampla faixa de resistividade 5 a 2000 ohm.cm nas orientações <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> com acabamento de superfície como cortado, lapidado, gravado e polido em embalagem de caixa de espuma ou cassete , ou como especificação personalizada para a solução perfeita.


Detalhes

Tag

Especificação técnica

Bolacha de Silício FZ NTD

FZ NTD Silicon wafer

Como fornecedor líder de mercado de silício FZ NTD para aplicações de energia promissoras e seguindo as crescentes demandas por wafers de nível de qualidade superior, o wafer de silício FZ NTD superior da Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecido aos nossos clientes em todo o mundo em vários tamanhos, variando de 2 ″ a 6″ de diâmetro (50, 75, 100, 125 e 150mm) e ampla faixa de resistividade de 5 a 2000 ohm-cm em <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> orientações com acabamento superficial lapidado, gravado e polido em embalagem de caixa de espuma ou cassete, caixa de papelão externa ou conforme especificação personalizada para a solução perfeita.

Não. Itens Especificação padrão
1 Tamanho 2" 3" 4" 5" 6"
2 Diâmetro 50,8±0,3 76,2±0,3 100±0,5 125±0,5 150±0,5
3 Condutividade tipo n tipo n tipo n tipo n tipo n
4 Orientação <100>, <111>, <110>
5 Espessura μm 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ou conforme necessário
6 Resistividade Ω-cm 36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 ou conforme necessário
7 RRV máx. 8%, 10%, 12%
8 TTV μm máx. 10 10 10 10 10
9 Arco/urdidura μm máx. 30 30 30 30 30
10 Vida útil da operadora μs >200,>300,>400 ou conforme necessário
11 Acabamento de superfície Como cortado, lapidado, polido
12 Embalagem Caixa de espuma dentro, caixa de papelão fora.

Parâmetro de material básico

Símbolo Si
Número atômico 14
Peso atômico 28.09
Categoria do elemento Metalóide
Grupo, Período, Bloco 14, 3, P
Estrutura de cristal Diamante
Cor Cinza escuro
Ponto de fusão 1414°C, 1687,15K
Ponto de ebulição 3265°C, 3538,15K
Densidade em 300K 2,329 g/cm3
Resistividade intrínseca 3,2E5 Ω-cm
Número CAS 7440-21-3
Número CE 231-130-8

Bolacha de Silício FZ-NTDé de suma importância para aplicações em tecnologias de alta potência, detectores e em dispositivos semicondutores que precisam trabalhar em condições extremas ou onde é necessária baixa variação de resistividade através do wafer, como tiristor gate-turn-off GTO, tiristor de indução estática SITH, gigante transistor GTR, transistor bipolar de porta isolada IGBT, PIN de diodo HV extra.O wafer de silício tipo n FZ NTD também é o principal material funcional para vários conversores de frequência, retificadores, elementos de controle de grande potência, novos dispositivos eletrônicos de potência, dispositivos fotoeletrônicos, retificador de silício SR, controle de silício SCR e componentes ópticos como lentes e janelas para aplicações terahertz.

/silicon-compound-semiconductors/

FZ-W1

FZ-W2

PK-26 (2)

pks3

Dicas de Aquisição

  • Amostra disponível mediante solicitação
  • Entrega segura de mercadorias por correio/aéreo/marítimo
  • Gestão da Qualidade COA/COC
  • Embalagem segura e conveniente
  • Embalagem padrão da ONU disponível mediante solicitação
  • Certificado ISO9001:2015
  • Termos CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Termos de Pagamento Flexíveis T/TD/PL/C Aceitáveis
  • Serviços pós-venda dimensionais completos
  • Inspeção de qualidade por instalações de última geração
  • Aprovação de Regulamentos Rohs/REACH
  • Acordos de Confidencialidade NDA
  • Política Mineral Sem Conflito
  • Revisão Regular da Gestão Ambiental
  • Cumprimento da Responsabilidade Social

Bolacha de Silício FZ NTD


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