wmk_product_02

Fosfeto de índio InP

Descrição

Fosfeto de índio InP,CAS No.22398-80-7, ponto de fusão 1600°C, um semicondutor composto binário da família III-V, uma estrutura cristalina cúbica de "zinco blende" de face centrada, idêntica à maioria dos semicondutores III-V, é sintetizada a partir de 6N 7N elemento de índio e fósforo de alta pureza, e crescido em cristal único pela técnica LEC ou VGF.O cristal de fosforeto de índio é dopado para ser condutividade tipo n, tipo p ou semi-isolante para fabricação de wafer de até 6″ (150 mm) de diâmetro, que apresenta seu gap de banda direto, alta mobilidade superior de elétrons e buracos e eficiência térmica condutividade.Indium Phosphide InP Wafer prime ou grau de teste na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecido com condutividade tipo p, tipo n e semi-isolante em tamanho de 2” 3” 4” e 6” (até 150mm) de diâmetro, orientação <111> ou <100> e espessura 350-625um com acabamento superficial de processo gravado e polido ou Epi-ready.Enquanto isso, o lingote de cristal único de fosfato de índio 2-6″ está disponível mediante solicitação.InP de Fosfeto de Índio Policristalino ou Lingote InP Multicristal no tamanho D(60-75) x Comprimento (180-400) mm de 2,5-6,0kg com concentração de transportador inferior a 6E15 ou 6E15-3E16 também está disponível.Qualquer especificação personalizada disponível mediante solicitação para obter a solução perfeita.

Formulários

A pastilha InP de Fosfeto de Índio é amplamente utilizada para a fabricação de componentes optoeletrônicos, dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência, como substrato para dispositivos optoeletrônicos baseados em arseneto de índio-gálio (InGaAs).Fosfeto de índio também está na fabricação de fontes de luz extremamente promissoras em comunicações de fibra óptica, dispositivos de fonte de energia de micro-ondas, amplificadores de micro-ondas e dispositivos FETs de porta, moduladores e fotodetectores de alta velocidade e navegação por satélite e assim por diante.


Detalhes

Tag

Especificação técnica

Fosfeto de índio InP

InP-W

Cristal único de fosforeto de índioWafer (lingote de cristal InP ou Wafer) na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser oferecido com condutividade tipo p, tipo n e semi-isolante em tamanho de 2” 3” 4” e 6” (até 150mm) de diâmetro, orientação <111> ou <100> e espessura 350-625um com acabamento superficial de processo gravado e polido ou Epi-ready.

Fosfeto de índio Policristalinoou Lingote multicristal (lingote poli InP) no tamanho D(60-75) x L(180-400) mm de 2,5-6,0kg com concentração de transportador inferior a 6E15 ou 6E15-3E16 está disponível.Qualquer especificação personalizada disponível mediante solicitação para obter a solução perfeita.

Indium Phosphide 24

Não. Itens Especificação padrão
1 Cristal único de fosforeto de índio 2" 3" 4"
2 Diâmetro mm 50,8±0,5 76,2±0,5 100±0,5
3 Método de crescimento VGF VGF VGF
4 Condutividade P/Zn-dopado, N/(S-dopado ou não-dopado), Semi-isolante
5 Orientação (100)±0,5°, (111)±0,5°
6 Espessura μm 350±25 600±25 600±25
7 Orientação Plana mm 16±2 22±1 32,5±1
8 Identificação plana mm 8±1 11±1 18±1
9 Mobilidade cm2/Vs 50-70, >2000, (1,5-4)E3
10 Concentração de transportador cm-3 (0,6-6)E18, ≤3E16
11 TTV μm máx. 10 10 10
12 Arco μm máx. 10 10 10
13 Deformação μm máx. 15 15 15
14 Densidade de luxação cm-2 max 500 1000 2000
15 Acabamento de superfície P/E, P/P P/E, P/P P/E, P/P
16 Embalagem Recipiente de wafer único selado em saco composto de alumínio.

 

Não.

Itens

Especificação padrão

1

Lingote de Fosfeto de Índio

Lingote policristalino ou multicristal

2

Tamanho do Cristal

D(60-75) x L(180-400)mm

3

Peso por lingote de cristal

2,5-6,0 kg

4

Mobilidade

≥3500 cm2/VS

5

Concentração do transportador

≤6E15, ou 6E15-3E16 cm-3

6

Embalagem

Cada lingote de cristal InP está em saco plástico selado, 2-3 lingotes em uma caixa de papelão.

Fórmula linear InP
Peso molecular 145,79
Estrutura de cristal Blenda de zinco
Aparência Cristalino
Ponto de fusão 1062°C
Ponto de ebulição N / D
Densidade em 300K 4,81 g/cm3
Diferença de energia 1,344 eV
Resistividade intrínseca 8,6E7 Ω-cm
Número CAS 22398-80-7
Número CE 244-959-5

Fosfeto de índio InP Waferé amplamente utilizado para a fabricação de componentes optoeletrônicos, dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência, como substrato para dispositivos optoeletrônicos baseados em arseneto de índio-gálio (InGaAs).Fosfeto de índio também está na fabricação de fontes de luz extremamente promissoras em comunicações de fibra óptica, dispositivos de fonte de energia de micro-ondas, amplificadores de micro-ondas e dispositivos FETs de porta, moduladores e fotodetectores de alta velocidade e navegação por satélite e assim por diante.

InP-W2

InP-W6

Indium Phosphide 4

PC-15

s18

Dicas de Aquisição

  • Amostra disponível mediante solicitação
  • Entrega segura de mercadorias por correio/aéreo/marítimo
  • Gestão da Qualidade COA/COC
  • Embalagem segura e conveniente
  • Embalagem padrão da ONU disponível mediante solicitação
  • Certificado ISO9001:2015
  • Termos CPT/CIP/FOB/CFR por Incoterms 2010
  • Termos de Pagamento Flexíveis T/TD/PL/C Aceitáveis
  • Serviços pós-venda dimensionais completos
  • Inspeção de qualidade por instalações de última geração
  • Aprovação de Regulamentos Rohs/REACH
  • Acordos de Confidencialidade NDA
  • Política Mineral Sem Conflito
  • Revisão Regular da Gestão Ambiental
  • Cumprimento da Responsabilidade Social

Fosfeto de índio InP


  • Anterior:
  • Próximo:

  • Código QR