Descrição
Bolacha de silício de cristal único FZ,O silício de zona flutuante (FZ) é um silício extremamente puro com uma concentração muito baixa de impurezas de oxigênio e carbono puxadas pela tecnologia de refino de zona flutuante vertical.A zona flutuante FZ é um método de cultivo de lingote de cristal único que é diferente do método CZ em que o cristal de semente é anexado sob o lingote de silício policristalino e a borda entre o cristal de semente e o silício de cristal policristalino é derretido por aquecimento por indução de bobina de RF para cristalização única.A bobina de RF e a zona derretida movem-se para cima, e um único cristal se solidifica no topo do cristal de semente de acordo.O silício de zona flutuante é garantido com uma distribuição uniforme de dopantes, menor variação de resistividade, quantidades restritas de impurezas, vida útil considerável do transportador, alvo de alta resistividade e silício de alta pureza.O silício de zona flutuante é uma alternativa de alta pureza aos cristais cultivados pelo processo Czochralski CZ.Com as características deste método, o FZ Single Crystal Silicon é ideal para uso na fabricação de dispositivos eletrônicos, como diodos, tiristores, IGBTs, MEMS, diodo, dispositivo RF e MOSFETs de potência, ou como substrato para partículas de alta resolução ou detectores ópticos , dispositivos de energia e sensores, célula solar de alta eficiência etc.
Entrega
A condutividade FZ Single Crystal Silicon Wafer tipo N e tipo P na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser fornecida em tamanhos de 2, 3, 4, 6 e 8 polegadas (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm e 200 mm) e orientação <100>, <110>, <111> com acabamento superficial de As-cut, lapidado, gravado e polido em embalagem de caixa de espuma ou cassete com caixa de papelão externa.
Especificação técnica
Bolacha de silício de cristal único FZou FZ Mono-Crystal Silicon Wafer de condutividade intrínseca, tipo n e tipo p na Western Minmetals (SC) Corporation pode ser entregue em vários tamanhos de 2, 3, 4, 6 e 8 polegadas de diâmetro (50mm, 75mm, 100mm , 125mm, 150mm e 200mm) e ampla faixa de espessura de 279um a 2000um na orientação <100>, <110>, <111> com acabamento superficial como cortado, lapidado, gravado e polido em embalagem de caixa de espuma ou cassete com caixa de papelão fora.
Não. | Itens | Especificação padrão | ||||
1 | Tamanho | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" |
2 | Diâmetro mm | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,5 | 125±0,5 | 150±0,5 |
3 | Condutividade | N/P | N/P | N/P | N/P | N/P |
4 | Orientação | <100>, <110>, <111> | ||||
5 | Espessura μm | 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ou conforme necessário | ||||
6 | Resistividade Ω-cm | 1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 ou conforme necessário | ||||
7 | RRV máx. | 8%, 10%, 12% | ||||
8 | TTV μm máx. | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
9 | Arco/urdidura μm máx. | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
10 | Acabamento de superfície | Como cortado, L/L, P/E, P/P | ||||
11 | Embalagem | Caixa de espuma ou cassete dentro, caixa de papelão fora. |
Símbolo | Si |
Número atômico | 14 |
Peso atômico | 28.09 |
Categoria do elemento | Metalóide |
Grupo, Período, Bloco | 14, 3, P |
Estrutura de cristal | Diamante |
Cor | Cinza escuro |
Ponto de fusão | 1414°C, 1687,15K |
Ponto de ebulição | 3265°C, 3538,15K |
Densidade em 300K | 2,329 g/cm3 |
Resistividade intrínseca | 3,2E5 Ω-cm |
Número CAS | 7440-21-3 |
Número CE | 231-130-8 |
Silício de cristal único FZ, com as características primordiais do método Float-zone (FZ), é ideal para uso na fabricação de dispositivos eletrônicos, como diodos, tiristores, IGBTs, MEMS, diodo, dispositivo RF e MOSFETs de potência, ou como substrato para alta resolução detectores de partículas ou ópticos, dispositivos e sensores de energia, célula solar de alta eficiência etc.
Dicas de Aquisição
Bolacha de Silício FZ